TEM-Bild eines Schnitts durch einen NIL strukturierten OECT (a) sowie durch einen SA-OTFT (c); Elementanalyse des Schnittes (b,d); Bild eines NIL strukturierten OECT (e); Vollständig gedruckter, segmentierter elektrochromer Display (f,g).
Electronic circuits by hot embossed organic devices II
Ziel des NILecho II Projektes ist die Kombination von Nanoimprint Lithografie (NIL) und gedruckter Elektronik, die es ermöglicht, schnelle, flexible Schaltungen mit industrienahen Fertigungsmethoden herzustellen. Diese Technologie ermöglicht es, elektronische Bauteile in großem Maßstab zu produzieren, die kostengünstig wie gedrucktes Papier, groß wie Schultafeln und flexibel wie Plastikfolie sind. Gedruckte Elektronik erreicht dadurch einen industriell relevanten Technologiereifegrad.
Probenherstellung und elektrische Charakterisierung erfolgt durch Joanneum Research. Querschnitt- und Materialcharakterisierung der Bauteile wird vom Zentrum für Elektronenmikroskopie Graz, die elektrischen Messaufbauten wurden von mb technologies entwickelt und gefertigt. Im Rahmen des Projektes werden folgende Bereiche erforscht:
- Selbstadjustierende, NIL strukturierte organische Dünnfilmtransistoren (SA-OTFT) hergestellt aus druckbaren Materialien.
- Vollständig gedruckte organische elektrochemische Transistoren (OECT) und Logikschaltungen (NAND, NOR, Flip-Flop).
- NIL strukturierte, vollständig gedruckte elektrochemische Transistoren und Logikschaltungen.
- Kombination der gedruckten Schaltungen mit vollständig gedruckten elektrochromen Displays