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Essenziell
 
insituOTFT

 

In-situ production, electrical and surface analytical characterization of novel organic thin film transistors

Das Ziel dieses Grundlagen-Forschungsprojektes ist es, Korrelationen zwischen elektrischen Eigenschaften von organischen Dünnfilmtransistoren (oTFTs) und den Mechanismen während des Filmwachstums des organischen Halbleiters oder der Metall-Elektroden zu finden. Dies erfolgt durch

  • In-situ elektrisches Vermessen von oTFT während des Bedampfen mit organischem Halbleiter oder Source-/Drain-Elektrode
  • Parallel dazu Oberflächenanalytik an elektrisch vermessenen Bauteilen zur exakten Bestimmung der Filmmorphologie und des Filmwachstums.
  • Untersuchungen an unterschiedlichen Dielektika, organischen Halbleitern (n- und p-Halbleiter) und Elektrodenmaterialien.
  • Erste grundlegende Experimente zum Schichtwachstum Wasserstoffbrücken-gebundener organischer Halbleiter als potenziell ambipolare Materialien.
  • Einsatz dieser Erkenntnisse zur weiteren Optimierung von oTFTs

Das Projekt insituOTFT wird in Kooperation mit der Technischen Universität Graz, Institut für Festkörperphysik, bearbeitet. Hier wird neben der in-situ elektrischen Charakterisierung auch oberflächensensitive Analytik (z. B. TDS: Thermodesorptionsspektroskopie, Auger-Elektronenspektroskopie) zum grundlegenden Studium des Filmwachstums organischer Halbleiter  durchgeführt.